器件型号 |
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通道数 (正向:反向) |
2 (1:1) |
2 (2:0) |
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默认输出逻辑 |
低 |
高 |
低 |
高 |
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使能控制 |
无 |
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封装 |
SOIC8-N |
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绝对最大额定值 |
工作温度范围Topr(°C) |
–40至125 |
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储存温度范围Tstg(°C) |
–65至150 |
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隔离电压BVS(Vrms) |
t=1min;Ta=25°C |
最小值 |
3000 |
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电气特性 |
共模瞬态抑制CMTI(kV/μs) |
VDD1=VDD2=4.5V至5.5V;VCM=1500V |
典型值 |
100 |
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数据速率tbps(Mbps) |
VDD1=VDD2=4.5V至5.5V |
最大值 |
50 |
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脉宽失真PWD(ns) |
典型值 |
0.8 |
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传输延迟时间tPHL、tPLH(ns) |
10.9 |
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