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器件型号 |
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通道数 (正向:反向) |
2 (2:0) |
2 (2:0) |
2 (1:1) |
2 (1:1) |
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默认输出逻辑 |
低 |
高 |
低 |
高 |
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封装 |
SOIC8-N |
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绝对最大额定值 |
工作温度Topr(°C) |
–40至125 |
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储存温度Tstg(°C) |
–65至150 |
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最大耐受隔离电压 (1分钟)BVS(Vrms) |
Ta=25°C |
最大值 |
3000 |
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推荐工作条件 |
电源电压 VDD1、VDD2(V) |
Topr=–40°C至125°C |
2.25至5.5 |
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电气特性 |
共模瞬态抑制 CMTI(kV/μs) |
VI=VDDI或0V; VCM=1500V; Ta=25°C |
典型值 |
100 |
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数据速率 tbps(Mbps) |
VDD1=VDD2=2.25至5.5V; Ta=–40°C至125°C |
最大值 |
150 |
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脉宽失真 PWD(ns) |
VDD1=VDD2=5V; Ta=25°C |
典型值 |
0.8 |
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传输延迟时间 tPHL;tPLH(ns) |
典型值 |
10.9 |
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库存查询与购买 |
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