当前位置： CompoTech China > 业界资讯 >
2026年5月21日--东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，开始提供1200V沟槽栅SiC MOSFET——“TW007D120E”的测试样品出货，该产品主要面向下一代AI数据中心电源系统，同时也适用于可再生能源相关设备。
随着生成式AI的快速发展，功耗不断上升已成为数据中心面临的紧迫课题。尤其是高功率AI服务器的广泛应用以及800V高压直流（HVDC）架构部署的增加，推动了市场对更高功率转换效率和更高功率密度电源系统的需求。针对下一代人工智能数据中心的这些需求，东芝开发了TW007D120E，该产品将有助于降低功耗，并实现电源系统的小型化和更高效率。
TW007D120E采用东芝专有的沟槽栅结构[1]，实现了业界领先[2]的单位面积低导通电阻（RDS(on)A）；其通过更低的导通电阻降低导通损耗，同时实现更低的开关损耗。与东芝现有产品相比，TW007D120E将RDS(on)A降低了约58%[3]，品质因数（导通电阻×栅漏电荷，即RDS(on)×Qgd，代表导通损耗和开关损耗之间的平衡）提高了约52%[3]。这些特性将帮助数据中心电源系统实现高效运行并减少发热，从而提升整体系统效率。
这有助于提高功率密度并增强功率级的散热性能，这对下一代AI数据中心的功率转换至关重要。
东芝计划在2026财年实现TW007D120E的量产，并将继续拓展其产品线，包括面向汽车应用的产品开发。凭借这款沟槽栅SiC MOSFET，东芝将助力数据中心及各类工业设备提升能效、降低二氧化碳排放，为低碳社会的实现做出贡献。
TW007D120E基于JPNP21029项目取得的成果，该项目由日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）资助。
应用：
- 数据中心电源（AC-DC、DC-DC）
- 光伏逆变器
- 不间断电源（UPS）
- 电动汽车充电站
- 储能系统
- 工业电机
特性：
- 低导通电阻和低RDS(on)A
- 低开关损耗和低RDS(on)×Qgd
- 较低的栅极驱动电压：VGS_ON＝15V至18V
- 高热性能QDPAK封装
主要规格：
（除非另有说明，Tvj＝25°C）
|
器件型号 |
TW007D120E |
|||
|
封装 |
名称 |
QDPAK |
||
|
绝对最大额定值 |
漏极-源极电压VDSS（V） |
1200 |
||
|
漏极电流（DC）ID（A） |
Tc＝25°C |
172 |
||
|
电气特性 |
漏极-源极导通电阻RDS(ON)（mΩ） |
VGS＝15V |
典型值 |
7.0 |
|
栅极阈值电压Vth（V） |
VDS＝10V |
3.0至5.0 |
||
|
总栅极电荷Qg（nC） |
VGS＝15V |
典型值 |
317 |
|
|
栅极-漏极电荷Qgd（nC） |
VGS＝15V |
典型值 |
33 |
|
|
输入电容Ciss（pF） |
VDS＝800V |
典型值 |
13972 |
|
|
二极管正向电压VSD（V） |
VGS＝0V |
典型值 |
3.2 |
|
注：开发中产品的规格和时间计划如有变更，恕不另行通知。
性能对比图表
新产品TW007D120E与现有产品TW015Z120C在RDS(ON)A和RDS(ON)×Qgd方面的对比
测试条件：VGS＝18V（TW015Z120C），VGS＝15V（TW007D120E），Tvj＝25°C。截至2026年5月的东芝调研。
注：
[1]在半导体衬底中形成微细沟槽，并将栅电极嵌入沟槽内部的器件结构。
[2]截至2026年5月的东芝调研。
[3]新开发的1200V SiC MOSFET与东芝第三代SiC MOSFET（TW015Z120C）的比较。截至2026年5月的东芝调研。
如需了解有关东芝SiC功率器件的更多信息，请访问以下网址：
SiC功率器件
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，但如有变更，恕不另行通知。
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司17,400名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
如需了解有关东芝电子元件及存储装置株式会社的更多信息，请访问以下网址：https://toshiba–semicon–storage.com
本月热点 HOME
